8月13日，记者从复旦大学得悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程动身，在世界上初次完成了规划最大1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。相关研讨成果12日发表于世界期刊《天然·电子学》。

　　人工智能的快速的提高火急地需求高速非易失存储技能，当时干流非易失闪存的编程速度遍及在百微秒级，无法支撑使用需求。该研讨团队在前期发现二维半导体结构可以将其速度提高一千倍以上，完成颠覆性的纳秒级超快存储闪存技能。可是，完成规划集成、走向实践使用仍具有应战。

　　为此，研讨人员开发了超界面工程技能，在规划化二维闪存中完成了具有原子级平整度的异质界面，结合高精度的表征技能，显现集成工艺优于世界水平。研讨人员经过严厉的直流存储窗口、沟通脉冲存储功能测验，证明了二维新机制闪存在1Kb存储规划中，在纳秒级非易失编程速度下的良率可高达98%，这一良率高于世界半导体技能道路%的良率要求。

　　一起，研讨团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始立异的超快存储叠层电场设计理论，成功完成了沟道长度为8纳米的超快闪存器材。该器材是现在世界最短沟道闪存器材，打破了硅基闪存物理尺度极限，约15纳米。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺度器材具有20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿数和多态存储功能。